南京宽能半导体有限公司成立于2021年11月，公司核心团队包括多名国际一流的碳化硅半导体工艺和制造专家，掌握碳化硅器件全工艺流程核心技术，并具备20年以上相关产品量产经验。公司首条产线落地南京，正在建设中，建成后将是国内最大的碳化硅半导体晶圆厂。

 

宽能半导体深耕功率半导体器件代工领域，为国内外半导体设计公司和IDM厂商提供高良率、高品质且具竞争力的产品。公司的自有标准工艺平台可协助客户迅速导入量产，促进工艺技术迭代。同时公司支持新产品开发，提供客制化工艺服务。公司同时具备沟槽型MOSFET工艺。由于目前全球可量产的碳化硅沟槽结构高度稀缺，仅有ROHM的双沟槽结构、英飞凌的半包沟槽结构、日本住友的接地双掩埋结构，器件结构的技术壁垒将为公司产品带来成本和性能上的优势。