达新半导体团队拥有多年海内外功率半导体芯片研发和制造经验，公司创始人有二十年功率半导体器件开发及制造经验，其中十二年海外著名功率半导体IR公司功率半导体芯片工艺开发及产业制造经验，公司创始人在中国率先实现国产IGBT芯片量产和销售。 公司拥有国际领先的IGBT，MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺技术，建有国内领先的功率半导体器件测试、应用及可靠性试验室，拥有一条测试和制造手段完备的IGBT模块生产线。

 

公司团队在8寸和6寸晶园制造平台上同时开发成功二代技术(平面型NPT),三代技术(平面型FS),四代技术(沟槽型NPT),五代技术(沟槽型FS)全部IGBT芯片技术，开发出600V, 1200V和1700V的8寸及6寸IGBT各种电流规格的IGBT芯片产品， 芯片电流规格从10A至200A， 芯片核心指标接近国际最先进的产品指标。 达新能够制造从600V至1700V， 可满足大部分应用领域的IGBT芯片产品， 达新IGBT芯片达到了国内绝对领先和国际先进水平。

 

公司已成功开发多种IGBT模块产品，电压等级涵盖600V～3300V，电流等级涵盖10A～1000A。产品已可应用于逆变焊机、变频器、感应加热、大功率电源、UPS、新能源汽车、太阳能/风力发电、SVG等领域。

 

公司秉承“创新、品质、诚信、共赢”的经营理念，寻求产业链各方合作，发挥各方优势，实现互惠共赢，创建中国的IGBT核心产业。