2015年11月17日，拓荆科技获得A轮融资，金额未透露，投资方为国家集成电路产业投资基金、中芯聚源、中微半导体。

2017年8月9日，拓荆科技获得B轮融资，金额未透露，投资方为国投创业。

2019年6月20日，拓荆科技获得战略投资，金额未透露，投资方为浑璞投资。

沈阳拓荆科技有限公司成立于2010年4月，注册资本7117.4787万元人民币，是由海外专家团队和中科院所属企业共同发起成立的国家高新技术企业。拓荆公司致力于研究和生产世界领先的薄膜设备，两次承担国家科技重大专项。2016年、2017年连续两年获评“中国半导体设备五强企业”。

 

公司拥有12英寸PECVD（等离子体化学气相沉积设备）、ALD（原子层薄膜沉积设备）、3D NAND PECVD（三维结构闪存专用PECVD设备）三个完整系列产品，技术指标达到国际先进水平。产品广泛应用于集成电路前道和后道、TSV封装、光波导、LED、3D-NAND闪存、OLED显示等高端技术领域。公司在北京、天津、厦门、武汉、深圳、合肥、重庆、长三角等地区都设有技术服务中心，为客户提供每周7天，每天24小时的技术服务。

 

公司现有员工总数近300人，其中本科以上员工占总数90%，硕士以上员工占总数的41%。公司拥有国际一流的专家团队，现有14名海外专家。公司产品拥有100%自主知识产权，现已申请专利近300项，填补了国内该技术领域多项空白，2017年公司获评为国家知识产权优势企业。

 

公司总部坐落于沈阳市浑南区，占地80亩，拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房，总建筑面积达40,000平方米。第一期生产能力可实现年产100台套，全部投产可达350台套设备，支撑年产值50亿元的产业规模。公司营运已通过ISO9001、ISO14001、OHSAS18001体系的认证，并拥有覆盖全球的供应商网络。

 

拓荆公司愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟，为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。